RL78/G23技术支持案例分享(下)

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导读

在上一篇章中,我们阐述了产品升级主要内容,接下来将在支持客户过程中发现客户经常碰到的一些问题,在此分享技术支持案例供参考。

案例1:新建RL78/G23带CTSU2L触摸按键项目后,编译报错(在e2 studio 2023-10或者2024-1版本环境下)。

1编译错误提示没有找到SMS assembler组件。如下图:

07267324-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.jpg

2重新再次安装e2 studio 2024-1,发现没有SMSassembler组件选项

而e2 studio2023-4及之前版本有此选项

076555f8-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.jpg

3拷贝SMS assembler组件,手动安装。

help选项下选择Add Reness Toolchains

点击添加

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选择SMSassembler组件所在文件夹,点击OK,即绑定完成

07ba7cd6-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

点击选中renesas SMS assembler

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4再次新建RL78/G23 CTSU2L触摸按键项目后,编译成功。

案例2:和上一代RL78/G13相比,RL78/G23提供自编程驱动代码,不再采用之前库的形式。参照我们写的OTA操作指引,能够实现OTA功能,简单易用。但也会容易出现以下错误案例。

1预留Self-RAM,避免用户程序使用此RAM区

RL78/G23硬件手册中介绍,debug control area for self-programming (128 bytes)

081135d0-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

比如客户使用RL78/G23 R7F100GGG时,需要设定self RAM区域FBF00H to FBF7FH

082e9260-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

设定方法参考下图:

右击项目工程,选择属性选项

点击C/C++ build setting

选择编译器Section选项

设定RAM的start地址为FBF80H

08459ef6-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

2拷贝codeflash和Dataflash操作代码到RAM区。

分别由code_flash_create()和FData_INITSCT()来完成。

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088d052a-4596-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

由上图可以看出,code_flash_create()已经对codeflash和dataflash code同时拷贝到RAM区。

所以需要#ifdefUSE_CODE_FLASH_SELFPRO,来屏蔽FData_INITSCT()初始化代码。

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